Samsung werkt aan HBM4E-vram met bandbreedtes tot 3,25TB/s

In dit artikel:

Samsung ontwikkelt een nieuwe generatie HBM-geheugen, HBM4E, bedoeld voor datacenter-gpu’s en gepland voor marktintroductie in 2027. De aankondiging gebeurde tijdens het OCP Global Summit in Californië. HBM4E zou per datapin ongeveer 13 Gbit/s behalen (tegen 11 Gbit/s bij HBM4) en gebruikt 2048 pinnen, wat neerkomt op een bruto bandbreedte van zo’n 3,25 TB/s — hoger dan de ongeveer 2,8 TB/s die HBM4 biedt.

Naast meer snelheid belooft Samsung ook een flinke efficiëntieslag: HBM4E zou ruim twee keer zo zuinig zijn als HBM3E (die circa 3,9 pJ per bit verbruikt). De fabrikant werkt aan ’16‑Hi’ stapelmodules (zestien chips per module) voor hogere capaciteit, terwijl de gebruikelijke 12‑Hi-varianten beschikbaar blijven.

HBM is vooral geliefd in datacenters voor het trainen van AI-modellen; grote gpu‑makers zoals Nvidia en AMD gebruiken vergelijkbare HBM-types in hun datacenterkaarten. Welke specifieke producten HBM4E in 2027 zullen toepassen, is nog niet bekend.