Intel onthult 18A-verbetering met Power Boost voor krachtigere chips

In dit artikel:

Intel heeft op het VLSI-symposium nieuwe details bekendgemaakt over een verbeterde versie van zijn 18A-procedé, 18A-P, en introduceerde een techniek genaamd Power Boost om krachtigere chips mogelijk te maken. Het 18A-P-proces draait inmiddels in beperkte (risk) productie bij twee fabrieken; Intel zet het eerst in voor consumentenchips en later voor datacenterchips.

Technisch belangrijkste verandering is Power Boost, gekoppeld aan een nieuwe transistorvariant W3P: die transistors krijgen een tweede contactpunt waardoor hogere stuurstromen mogelijk zijn en de schakelsnelheid en maximale frequentie toenemen. Dit tweede contact wordt haalbaar gemaakt door Intels backside-interconnects, waarbij voedingslijnen via de onderkant van de transistorstructuur lopen; zo kan het extra contact worden toegevoegd zonder dat het chipoppervlak groter wordt.

Intel meldt dat 18A-P bij gelijk vermogen ongeveer 9% meer prestaties levert, of tot circa 18% minder verbruik bij gelijke prestaties. Daarnaast biedt het proces meerdere transistorconfiguraties waarmee klanten kunnen kiezen voor hogere performance of juist zuinigheid. Naast W3P is er een W1-ontwerp gericht op zeer laag lekverlies (tussen ULVT en LVT in), en een variant ULVTLL (UltraLow Voltage Threshold Low Leakage) voor nog lager sluipverbruik.

Nu de risk production loopt, verwacht Intel 18A-P toe te passen in zijn volgende Xeon-generatie (waarschijnlijk met W3P-transistors). Ook kunnen zuinige toepassingen, zoals Apple-socs, profiteren van de lagere energieconsumptie van 18A-P. De introductie onderstreept Intels strategie om met nieuwe transistorarchitecturen flexibiliteit tussen prestatie en efficiëntie aan klanten te bieden.